28nm光刻機與7nm差距在哪？這個概念就被混淆不清了!即便28納米不錯，7納米依我看，指的大都光刻機的制程工藝。而光刻機背身只分成三類紫外光刻機(UV)，深紫外光刻機(DUV)，極紫外光刻機(EUV

28nm光刻機與7nm差距在哪？

這個概念就被混淆不清了!即便28納米不錯，7納米依我看，指的大都光刻機的制程工藝。而光刻機背身只分成三類紫外光刻機(UV)，深紫外光刻機(DUV)，極紫外光刻機(EUV)。其中28納米的制程工藝用DUV也行，用EUV也這個可以。7納米制程工藝使用DUV確實是是可以的，只是太麻煩了，用EUV比較簡單省事兒。

而DUV光刻機和EUV光刻機的差距要注意在:“光源，物鏡”，這三者基本確定了一臺光刻機制程工藝的高低。要是頓了頓具體詳細的工藝上，那是28納米制程工藝能制造的芯片與7納米制程工藝能制造的芯片性能差太大了，基本是28納米制程工藝是9年前的了，如果讓用回9年前的手機，你還愿意么？

機臺部件差距先來看光源。DUV光刻機需要的Arf光源，其波長普片在193納米。而光刻機的分辨率除了正比于波長之外，還主要注意受限制于瑞利衍射極限。Arf光源的極限基本是就是7nm工藝了，在提升到分辨率的話，那代價就太大了，完全沒有太不劃算。而EUV光刻機常規的是EUV光源，其波長為13.5納米，這么多短的波長，就很容易實現分辨率的提升，因此在用EUV光刻機的話制程工藝至少7納米，5納米，3納米是很容易能夠做到的。別外，另外結束制作7納米的芯片，EUV光刻機的效率要比DUV高的多。

再來看低倍物鏡組。ASML制造出的EUV光刻機在用的是蔡司公司能提供的物鏡，其數值孔徑(NA)值為0.33越大。看公式“光刻機分辨率k1*λ/NA”。也就是說NA值越大意思是分辨率越高，光源波長越短，分辨率也就越高。導致直接限制于技術，可能導致鏡頭的NA值又不能無限增大，所以我沒有辦法你選擇縮小光源的波長了。國內NA值或為0.75的光學系統也是從驗收了，一直在向NA值為1.35的進發。的確，國產品牌DUV光刻機的光學系統的NA值早比ASML的高了。

由此可知，EUV光刻機和DUV光刻機之間的差距有多大。肯定了，EUV光刻機要的光源和物鏡都是是需要極高技術支持的，不能夠掌握先去的技術，那是制造不出EUV光刻機的。再者，芯片的制程工藝，不光是由光刻機做出決定的。更多的在于一個廠商的研發工藝，假如，臺積電在用DUV光刻機就可以不將芯片的制程拽入7納米，而三星就不行呀，三星想制造出來出7納米制程工藝的芯片，就需要要有EUV光刻機。所以說，現在可以使用DUV光刻機也是這個可以實現方法7納米制程工藝的，不過就看廠商對技術的研發怎么樣了。不過臺積電上千人的研發團隊，用不3年時間，燒了數百億美金才拿起7納米制程工藝。因為說，生產芯片既要會舍得投資，還得在等待。

人類儀器的發展史？

儀器儀表發展已有悠久的歷史。公元前600年1450年，古埃及就有綠石板影鐘。至960年14世紀，用以來表示時間的任何比較可靠的方法是日晷或影鐘。公元前600年至公元前2500年525年，也用處不大棕櫚葉和鉛垂線記錄夜間時間和某種特定天體的儀器。當天體是從子午線時，從棕櫚葉的開口說中觀察到天體越過鉛垂線的過程。在江蘇儀征發掘出土了東漢中期的小型折疊后銅質民間測影儀器。

962年1400年前，埃及有記錄長度短時間的儀器叫水鐘，水鐘內有刻度，下有小孔，整個水鐘用雪花石膏制成瓶狀。在古希臘古羅馬有當時世界上真正的機械計時儀——水儀。通過水的傳遞計量時間，記錄的是不停緩緩流動的概念而不是什么在不相等的時間，更加不精確計算。北宋時期的蘇頌和韓公謙于1088年可以制作了天文計時器——天文儀象臺。它區分民間的水車、筒車、桔槔、凸輪和天平秤桿等，是集觀測、演示相關和報時為一身。

到了現代，不斷X射線、γ射線先后被德國科學家倫琴、法國科學家P.V.維拉德才發現，因其很強大穿透力這一特性，使儀器的功能與概念被盡快拽入更深的領域，如X光檢查機、線寬檢測儀等儀器，就需要了X射線、γ射線的很強大穿透力研發的先進檢測儀器設備。

20世紀初，電子技術的發展使各形電子儀器急速才能產生，如今后教育的普及全球的電子計算機，浮山宗從這一時始崛起的。同樣的，伴隨著工業化程度的不斷提高，各行各業的電子儀器如雨后春筍般地出現，如計量、分析什么、生物、天文、汽車、電力、石油、化工儀器等。